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IRLML6402TRPBF中文资料

IRLML6402TRPBF图片

IRLML6402TRPBF外观图

  • 大小:130.4KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Avalanche Single Pulse Energy Eas:11mJ; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0μA; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; P Channel Gate Charge:12nC; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:1E; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°...
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:633pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLML6402PBFTR

IRLML6402TRPBF供应商

更新时间:2023-01-17 08:31:42
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